Comprendere la crescita di nanofili epitassiali InAs/GaAs

Taliansky jazyk

Comprendere la crescita di nanofili epitassiali InAs/GaAs

Vydavateľstvo: Edizioni Sapienza
Rok vydania: 2021
Formát: Paperback
Rozmer: 220 x 150 mm
Jazyk: Taliansky jazyk
ISBN: 9786203329711

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O knihe

I materiali in scale più piccole mostrano proprietà promettenti che sono utili per un'ampia varietà di applicazioni. I pozzi quantici di semiconduttori e i punti quantici sono due esempi principali di sistemi a bassa dimensione, dove i pozzi quantici agiscono come sistemi bidimensionali e i punti quantici come sistemi a zero dimensioni. In alternativa, i nanofili di semiconduttori agiscono come materiali unidimensionali, ed esibiscono proprietà promettenti e applicabili ai dispositivi. Questi nanofili di semiconduttori dovrebbero essere i mattoni per la futura tecnologia dei dispositivi nanoelettronici e nano-optoelettronici. La modulazione della composizione all'interno di un singolo nanofilo (eterostruttura) permette la progettazione della struttura di banda di un nanofilo e quindi permette la fabbricazione di dispositivi a nanofilo singolo. Queste eterostrutture di nanowire mostrano molte proprietà potenziali e conseguenti applicazioni. Tuttavia, i meccanismi fondamentali di crescita delle eterostrutture nanowire non sono stati esplorati sufficientemente a causa della loro natura complessa della crescita. A questo proposito, questo libro affronta le questioni fondamentali associate alla crescita di epitassiale assiale e radiale nanowire eterostrutture.