Estudio de un amplificador de potencia CMOS para comunicaciones inalámbricas

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Estudio de un amplificador de potencia CMOS para comunicaciones inalámbricas

Vydavateľstvo: Ediciones Nuestro Conocimiento
Rok vydania: 2024
Formát: Paperback
Rozmer: 220 x 150 mm
Jazyk: Španielsky jazyk
ISBN: 9786208284718

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bežná cena: 41.10 €

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A medida que evoluciona la tecnología moderna de comunicaciones inalámbricas, los amplificadores de potencia (PA) de RF se convierten en un tema candente, ya que son el componente clave de los sistemas de comunicaciones móviles inalámbricas y la calidad de la comunicación depende en gran medida del rendimiento de los PA de RF. Los sistemas modernos de comunicación inalámbrica, como CDMA2000, WCDMA, OFDM, etc., están pensados para maximizar la velocidad de transmisión de datos en un entorno en rápido movimiento. Las señales moduladas de estos sistemas requieren tanto una buena linealidad como eficiencia, mientras que las señales tienen una elevada relación pico/potencia media. Así pues, la linealidad y la eficiencia son dos de las características más importantes de los PA para aplicaciones inalámbricas. Recientemente, un número cada vez mayor de componentes de RF se están integrando utilizando el proceso CMOS para satisfacer los requisitos de bajo coste y pequeño tamaño de los mercados de consumo inalámbricos. Sin embargo, el amplificador de potencia CMOS es difícil de diseñar debido a la baja tensión de ruptura, el sustrato Si conductor y la falta de vía de tierra. Todo ello dificulta enormemente el diseño de un amplificador de potencia totalmente integrado. Este libro se centra en la mejora de la eficiencia y las técnicas de linealización para el diseño de amplificadores de potencia CMOS.