Ruský jazyk

Kristally twerdyh rastworow Ge-Si

Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
Rok vydania: 2013
Formát: Paperback
Rozmer: 220 x 150 mm
Jazyk: Ruský jazyk
ISBN: 9783659374258

Na objednávku

57.33 €

bežná cena: 63.70 €

O knihe

V rabote resheny zadachi, swqzannye s polucheniem slozhnolegirowannyh kristallow twördyh rastworow Ge-Si c zadannym raspredeleniem osnownyh komponentow i primesej, a takzhe s izucheniem spektra primesnyh sostoqnij i älektrotransportnyh qwlenij w ätih materialah. V pfannowskom priblizhenii i w ramkah modeli wirtual'nogo kristalla dlq twördyh rastworow resheny matematicheskie zadachi raspredeleniq komponentow i primesej w kristallah binarnyh sistem, wyraschennyh tradicionnym i modernizirowannym metodami Bridzhmena. Razrabotana metodika wyraschiwaniq kristallow Ge-Si c linejno rastuschej koncentraciej kremniq wdol' osi kristallizacii. Opredeleny rawnowesnye koäfficienty segregacii primesej Al i Sb w sisteme Ge-Si, demonstriruüschie linejnoe izmenenie ätogo parametra s sostawom kristalla mezhdu ih znacheniqmi w Ge i Si. Pokazano, chto matematicheskoe modelirowanie raspredeleniq komponentow i primesej w kristallah Ge-Si, wypolnennoe w prinqtom w rabote priblizhenii, opredelqet optimal'nye znacheniq operacionnyh tehnologicheskih parametrow dlq wyraschiwaniq kristallow s zadannym sostawom i koncentraciej primesej wdol' osi kristallizacii.