-
Ruský jazyk
MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si
Autor: Sonq Kashiewa
Izucheno obrazowanie radiacionnyh defektow pri wysokoänergeticheskom MäV-älektronnom obluchenii struktury Si-SiO2 n- i p-tipa s razlichnymi widami oxidow. Morfologicheskie izmeneniq oxida SiO2 pri obluchenii älektronow MäV-älementow nablüdalis' pri ASM.... Viac o knihe
Na objednávku
33.12 €
bežná cena: 36.80 €
O knihe
Izucheno obrazowanie radiacionnyh defektow pri wysokoänergeticheskom MäV-älektronnom obluchenii struktury Si-SiO2 n- i p-tipa s razlichnymi widami oxidow. Morfologicheskie izmeneniq oxida SiO2 pri obluchenii älektronow MäV-älementow nablüdalis' pri ASM. Predstawleny iony Si+, implantirowannye Si-SiO2 struktury do i posle oblucheniq älektronami MäV. Pereraspredelenie atomow kisloroda i kremniq i generaciq nanokristallow Si pri obluchenii älektronow MäV nablüdalis' metodami BKS/S i ASM sootwetstwenno. Takzhe prowedeny opticheskie swojstwa, fotolüminescenciq i spektroskopicheskie issledowaniq plenok SiOx, obluchennyh MäV-älektronami.
- Vydavateľstvo: Sciencia Scripts
- Rok vydania: 2020
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Ruský jazyk
- ISBN: 9786200995780
Anglický jazyk 
Nemecký jazyk 