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Modelo de los efectos de la radiación láser sobre heteroestructuras semiconductoras
Autor: Iliana María Ramírez Velásquez
En particular, el estudio se enfoca en un modelo matemático, que representa el control del Factor de Landé electrónico de una heteroestructura semiconductora de GaAs/GaAl/As. La no parabolicidad y la anisotropía de las bandas de conducción y de valencia... Viac o knihe
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En particular, el estudio se enfoca en un modelo matemático, que representa el control del Factor de Landé electrónico de una heteroestructura semiconductora de GaAs/GaAl/As. La no parabolicidad y la anisotropía de las bandas de conducción y de valencia se consideran mediante la utilización del Hamiltoniano de Ogg-McCombe, al respecto se han reportado trabajos previos del director del proyecto, y son el punto de partida para considerar las propiedades del factor de Landé del sistema como función del campo magnético variable aplicado y resultados del estudio de un sistema de muchos cuerpos.
- Vydavateľstvo: Editorial Académica Española
- Rok vydania: 2015
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Španielsky jazyk
- ISBN: 9783659096808
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