Ruský jazyk

O skole gomostruktur n-,p-GaAs(110)

Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
Rok vydania: 2014
Formát: Paperback
Rozmer: 220 x 150 mm
Jazyk: Ruský jazyk
ISBN: 9783659512742

Na objednávku

36.99 €

bežná cena: 41.10 €

O knihe

V rezul'tate izmerenij fotojelektronnyh spektrov urovnya Ga3d posle skola in situ po ploskosti (110)legirovannyh poluprovodnikov n-,p-GaAs dlya 14-ti nominal'no identichnyh p-n perehodov i zerkal'no ploskih pod opticheskim mikroskopom, byli polucheny polozheniya urovnya Fermi dlya n- i p- sloev. Issledovalos' takzhe dvumernoe fotojemissionnoe izobrazhenie p-n perehoda s ispol'zovaniem puchka sinhrotronnogo izlucheniya (diametr 0.7 mkm, jenergiya 95 jeV, int.~10E10 fot./c). Poluchennaya srednyaya velichina izgiba zon otnositel'no polozheniya ideal'nyh ploskih zon, harakternyh dlya otsutstviya poverhnostnyh defektov, sostavila 0.12+/-0.05 jeV dlya p- sloya, i 0.16+/-0.08 jeV dlya n- sloya, pri razreshenii spektrometra <0.15 jeV. Rezul'taty jexperimentov, privodyashhie k raznoj stepeni otlichiya ot usloviya ploskih zon dlya kazhdogo skola, ob#yasnyajutsya vneshnimi lokal'nymi mikroskopicheskimi defektami skola, kotorye mogut poyavlyat'sya sluchajno i nepredskazuemo, poskol'ku dinamika sistemy pri skole yavlyaetsya linejnym processom mnogih tel i mnogih stepenej svobody.