-
Ruský jazyk
Rasseqnie älektronow na fononah w swerhreshetkah (GaAs)m(AlAs)n(001)
Autor: Sergej Grinqew
Kniga poswqschena izlozheniü osnow teoreticheskogo opisaniq processow wnutri- i mezhdolinnogo rasseqniq älektronow na dlinnowolnowyh i korotkowolnowyh fononah w poluprowodnikowyh swerhreshetkah (GaAs)m(AlAs)n(001). Rezul'taty polucheny s primeneniem perwoprincipnyh... Viac o knihe
Na objednávku
41.58 €
bežná cena: 46.20 €
O knihe
Kniga poswqschena izlozheniü osnow teoreticheskogo opisaniq processow wnutri- i mezhdolinnogo rasseqniq älektronow na dlinnowolnowyh i korotkowolnowyh fononah w poluprowodnikowyh swerhreshetkah (GaAs)m(AlAs)n(001). Rezul'taty polucheny s primeneniem perwoprincipnyh i fenomenologicheskih metodow issledowaniq älektronnyh i fononnyh sostoqnij. Osnownoe wnimanie udeleno wyqsneniü wliqniq kwantowo-razmernyh äffektow na weroqtnosti älektronnyh perehodow w nizhnih zonah prowodimosti swerhreshetok. Ustanowleny osobennosti älektronnogo, fononnogo spektrow i mehanizmow älektron-fononnogo wzaimodejstwiq w swerhreshetkah po srawneniü s ih binarnymi komponentami. Vperwye polucheny mezhdolinnye deformacionnye potencialy dlq wseh intensiwnyh kanalow rasseqniq älektronow na fononah w swerhreshetkah s raznoj tolschinoj sloew. Kniga prednaznachena dlq specialistow w oblasti modelirowaniq opticheskih i transportnyh swojstw nanomaterialow, prepodawatelej i studentow.
- Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
- Rok vydania: 2013
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Ruský jazyk
- ISBN: 9783659457562
Anglický jazyk 
Nemecký jazyk 