Silovye diody i tranzistory na osnove karbida kremniya

Ruský jazyk

Silovye diody i tranzistory na osnove karbida kremniya

Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
Rok vydania: 2018
Formát: Paperback
Rozmer: 220 x 150 mm
Jazyk: Ruský jazyk
ISBN: 9786202070799

Na objednávku

46.17 €

bežná cena: 51.30 €

O knihe

V knige obobshheny rezul'taty issledovanij po sozdaniju silovyh poluprovodnikovyh priborov na osnove karbida kremniya (SiC) i rassmotreny osobennosti ih raboty. Privedeny varianty konstrukcij i osnovnye harakteristiki silovyh poluprovodnikovyh priborov na osnove karbida kremniya - diodov Shottki i tranzistorov (bipolyarnyh, polevyh, s upravlyajushhim p-n-perehodom, s izolirovannym zatvorom i dr.). Predstavlen obzor bol'shogo massiva sovremennyh jexperimental'nyh i teoreticheskih rezul'tatov po silovym poluprovodnikovym priboram na osnove SiC (raschetov pryamyh i obratnyh vol't-ampernyh harakteristik diodov Shottki, osobennostej «ohrannyh sistem», harakteristik obratnogo vosstanovleniya, soprotivleniya diodov pri pryamom vkljuchenii, vliyaniya materialov anoda na vol't-ampernye harakteristiki diodov Shottki, raschety prostranstvennogo raspredeleniya svobodnyh jelektronov v MOP-tranzistorah so vstroennym n-kanalom na osnove 4H-SiC i dr.). Dlya nauchnyh rabotnikov i inzhenerov, zanimajushhihsya issledovaniyami v oblasti fiziki poluprovodnikov, silovoj jelektroniki, fiziki tverdogo tela, a takzhe studentov i aspirantov, specializirujushhihsya v jetih oblastyah.