Transistor

Quelle: Wikipedia. Seiten: 63. Kapitel: Feldeffekttransistor, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Dünnschichttransistor, Ersatzschaltungen des Bipolartransistors, Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors, Transistorgrundschaltungen, Leistungs-MOSFET, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Spitzentransistor, Mesatransistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, Darlington-Schaltung, Leistungstransistor, DePFET-Detektor, Organischer Feldeffekttransistor, Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor, Fototransistor, Unijunctiontransistor, Floating-Gate-Transistor, High-electron-mobility transistor, Programmable Unijunction Transistor, Universaltransistoren und -dioden, Bipolarer Leistungstransistor, Einzelelektronentransistor, Heterojunction Bipolar Transistor, Sziklai-Paar, Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Ionensensitiver Feldeffekttransistor, Atomarer Transistor, Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor, Spacistor, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Spin-Transistor, Multiemitter-Transistor, Enzym-Feldeffekttransistor, Y-Transistor, NIGFET, Diffusionstransistor, Electrolyte-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, Radiation sensing field-effect transistor. Auszug: Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei werden meist einfache Modelle zur Dimensionierung und komplexere Modelle bzw. deren Ersatzschaltbild zur Schaltungssimulation verwendet. Theoretisch wäre auch eine exakte Berechnung des physikalischen Verhaltens beispielsweise über eine Monte-Carlo-Simulation möglich, aber schon in relativ einfachen elektrischen Netzwerken übersteigt der Rechenaufwand einer solchen Simulation die Leistung heutiger Computer. Die Modelle dienen daher zur Vereinfachung und hinreichenden Nachbildung der realen Abläufe, um so den Rechenaufwand drastisch zu reduzieren. Eine weitere Vereinfachung kann durch die Nutzung unterschiedlicher Modelle für den statischen und den dynamischen Betrieb erreicht werden. Erstere dienen zur gleichstrommäßigen Dimensionierung, und damit vor allem zur Berechnung der korrekten Arbeitspunkteinstellung, sowie für niederfrequente Logikschaltungen (z. B. TTL). Modelle für den dynamischen Betrieb dienen der wechselstrommäßigen Dimensionierung und damit zur Berechnung von Schaltungen für die Signalübertragung und Signalverarbeitung. Der vorliegende Artikel beschäftigt sich ausschließlich mit der Modellierung des Bipolartransistors, für Informationen über den Aufbau und die Verwendung von Bipolartransistoren wird auf den Hauptartikel verwiesen. Im Folgenden werden die hier verwendeten Formelzeichen aufgelistet. Für weitere Formelzeichen siehe auch die mathematische Beschreibung. Da Datenblätter meist in englisch verfasst sind, muss man auch die verwendeten Formelzeichen übersetzen können. Im Wesentlichen sind dies: Die anderen Bezeichnungen können beibehalten werden. Ebers-Moll-Modell eines npn-TransistorsDas Ebers-Moll-Modell ist das einfachste Modell für den Bipolartransistor. Es hat nur drei Parameter und beschreibt damit d