• Ruský jazyk

Vwedenie w besperehodnyj dwuhzatwornyj MOP-tranzistor

Autor: Gauraw Dhiman

Polewye tranzistory (PT), izgotawliwaemye w integral'nyh shemah, w osnownom imeüt perehody. V swqzi s umen'sheniem masshtaba ustrojstwa izgotowlenie ätih perehodow postepenno uslozhnqetsq. Krome togo, suschestwuet zhestkaq neobhodimost' w wysokom gradiente... Viac o knihe

Na objednávku

18.36 €

bežná cena: 20.40 €

O knihe

Polewye tranzistory (PT), izgotawliwaemye w integral'nyh shemah, w osnownom imeüt perehody. V swqzi s umen'sheniem masshtaba ustrojstwa izgotowlenie ätih perehodow postepenno uslozhnqetsq. Krome togo, suschestwuet zhestkaq neobhodimost' w wysokom gradiente koncentracii dopinga dlq besperebojnogo funkcionirowaniq ustrojstwa. V poslednee wremq issledowateli sosredotochilis' na nowyh ustrojstwah, w kotoryh ne trebuetsq gradient legirowaniq i net perehodow. Odnoj iz takih struktur qwlqetsq besperehodnyj MOP-tranzistor s dwojnym zatworom (MOP-tranzistor JL-DG), kotoryj prodemonstrirowal uluchshennye harakteristiki w bor'be s äffektom korotkogo kanala, a imenno s inducirowannym stokom ponizheniem bar'era (DIBL), izmeneniqmi porogowogo naprqzheniq i t.d.

  • Vydavateľstvo: Sciencia Scripts
  • Rok vydania: 2022
  • Formát: Paperback
  • Rozmer: 220 x 150 mm
  • Jazyk: Ruský jazyk
  • ISBN: 9786204600031

Generuje redakčný systém BUXUS CMS spoločnosti ui42.