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Analyse von SRAM-Zellen zur Leistungsreduzierung durch Low-Power-Techniken
Autor: V. Rukkumani
Das Design, die Gesamtleistung, die statische Leistung, die dynamische Leistung, die Einschwingzeit, die Einschwingverzögerung und der statische Strom in 8T-SRAM- und 10T-SRAM-Zellen werden berechnet und verglichen. Das 8T-SRAM hat die geringste Transistoranzahl... Viac o knihe
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Das Design, die Gesamtleistung, die statische Leistung, die dynamische Leistung, die Einschwingzeit, die Einschwingverzögerung und der statische Strom in 8T-SRAM- und 10T-SRAM-Zellen werden berechnet und verglichen. Das 8T-SRAM hat die geringste Transistoranzahl und die geringste Flächeneffizienz, aber die Betriebsgeschwindigkeit ist etwas reduziert. Die Erhöhung der Transistoranzahl in der 10T-SRAM-Zelle führt jedoch zu einer Vergrößerung der Fläche und Verzögerung bei Raumtemperatur. Wenn die Temperatur ab einem bestimmten Wert steigt, schneidet die 10T-SRAM-Zelle besser ab als die 8T-SRAM-Zelle. Dies rechtfertigt die Verwendung von 10T-SRAM-Zellen für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und wechselnden Temperaturbedingungen. Der vorgeschlagene SRAM-Speicherentwurf kann in jeder digitalen Schaltung implementiert werden.
- Vydavateľstvo: Verlag Unser Wissen
- Rok vydania: 2023
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Nemecký jazyk
- ISBN: 9786205666111
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