h-BN: Vliqniq defektow na älektronnuü strukturu i magnitnye swojstwa

Ruský jazyk

h-BN: Vliqniq defektow na älektronnuü strukturu i magnitnye swojstwa

Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
Rok vydania: 2012
Formát: Paperback
Rozmer: 220 x 150 mm
Jazyk: Ruský jazyk
ISBN: 9783659168949

Na objednávku, dodanie 2-4 týždne

45.36 €

bežná cena: 50.40 €

O knihe

Kwantowo-himicheskih raschety pokazywaüt zawisimost' stabil'nosti wakansij monosloq gexagonal'nogo nitrida bora ot deformacii qchejki. Naibolee stabil'nymi qwlqütsq wakansii atomow azota wne zawisimosti ot deformacii monosloq. Raschety älektronnoj struktury monosloq gexagonal'nogo nitrida bora s wakansiej bora, azota, biwakansiej ili adatomom bora ili azota priwodit k poqwleniü wnedrennyh sostoqnij w oblasti zapreschennoj zony. Vse wnedrennye sostoqniq lokalizowany na atomah, okruzhaüschih defekt. V sluchae wakansii bora i azota w monosloe gexagonal'nogo nitrida bora poqwlqetsq magnitnyj moment, welichina kotorogo zawisit ot otnositel'noj deformacii qchejki. Poqwlqetsq wozmozhnost' magnitnogo uporqdocheniq w monosloe gexagonal'nogo nitrida bora, pri ätom rasstoqnie mezhdu wakansiqmi w monosloe h-BN okazywaet wliqnie na magnitnoe uporqdochenie. V hode processa modelirowaniq migracii adatoma bora po powerhnosti monosloq gexagonal'nogo nitrida bora, pokazano, chto, chto dannyj tip budet dostatochno bystro peremeschat'sq po powerhnosti, w otlichie ot adatomow azota. Realizaciq dannyh issledowanij äxperimental'no pozwolit poluchat' materialy s zadannymi swojstwami dlq primeneniq w nanoälektronike.