Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen

Nemecký jazyk

Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen

Vydavateľstvo: VS Verlag für Sozialwissenschaften
Rok vydania: 1974
Formát: Paperback
Rozmer: 244 x 170 mm
Jazyk: Nemecký jazyk
ISBN: 9783531023823

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Lite raturve rz eichnis 47 58 Abbildungen 86 Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5 - 1 - Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid - Einkristallen Die vorliegende Arbeit berichtet tiber Versuche zur Herstellung von Galliumarsenid-Einkristallen und tiber Materialuntersuchungen an solchen Halbleiterkristallen. Als Kristallzuchtverfahren wird das GREMMELMAIER-Verfahren behandelt +) . 1m Mittelpunkt der Ma terialuntersuchungen stehen Messungen der Tragerlebensdauer an Epitaxieschichten. 1. Einleitung Galliumarsenid geh6rt zur Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter, tiber deren Eigenschaften NELKER [1 J im Jahre 1952 zuerst be richtet hat. Die Eigenschaften von Galliumarsenid haben zur Ent wicklung einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen W"'fiihrt (Abb. 1) [3 - 10, 12J. In der Herstellung von Bauelementen steht die Praparation von Ein kristallen am Anfang einer Reihe von Verfahrensschritten (Abb. 2). Daher werden an die kristallographischen und elektrischen Eigenschaften dieser Kristalle besonders-hohe Anforderungen gestellt. Zur wirtschaftlichen Herstellung von Einkristallen werden vorzugsweise Kristallisationsverfahren aus einer st6chiometrischen Schmelze verwendet: 1. Das BRIDGMAN -Verfahren: Hier wird die Schmelze durch einen steilen Temperaturgradienten gefahren. 2. Das NACKEN-KYROPOULOS-Verfahren: Hier wird ein gektihlter Keimkristall in die Schmelze getaucht. 3. Das CZOCHRALSKI-Verfahren: Hier wird ein Keimkristall lang sam aus der Schmelze herausgezogen [11].