• Ruský jazyk

Issledowanie wliqniq konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa

Autor: Marat Faritowich Tagirow

V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow... Viac o knihe

Na objednávku, dodanie 2-4 týždne

36.99 €

bežná cena: 41.10 €

O knihe

V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow i programmnye sredstwa, pozwolqüschie chislenno promodelirowat' rabotu tranzistora. Vybrany naibolee podhodqschie dlq postawlennoj zadachi modeli. S pomosch'ü programmnogo obespecheniq Sentaurus rasschitany i postroeny grafiki VAH, raspredeleniq potenciala, naprqzhennosti älektricheskogo polq, skorosti i koncentracii älektronow wdol' kanala tranzistora dlq razlichnoj koncentracii legirowaniq kontaktnogo sloq.

  • Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
  • Rok vydania: 2019
  • Formát: Paperback
  • Rozmer: 220 x 150 mm
  • Jazyk: Ruský jazyk
  • ISBN: 9786202025850

Generuje redakčný systém BUXUS CMS spoločnosti ui42.