-
Ruský jazyk
Issledowanie wliqniq konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa
Autor: Marat Faritowich Tagirow
V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow... Viac o knihe
Na objednávku, dodanie 2-4 týždne
36.99 €
bežná cena: 41.10 €
O knihe
V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow i programmnye sredstwa, pozwolqüschie chislenno promodelirowat' rabotu tranzistora. Vybrany naibolee podhodqschie dlq postawlennoj zadachi modeli. S pomosch'ü programmnogo obespecheniq Sentaurus rasschitany i postroeny grafiki VAH, raspredeleniq potenciala, naprqzhennosti älektricheskogo polq, skorosti i koncentracii älektronow wdol' kanala tranzistora dlq razlichnoj koncentracii legirowaniq kontaktnogo sloq.
- Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
- Rok vydania: 2019
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Ruský jazyk
- ISBN: 9786202025850
Anglický jazyk 
Nemecký jazyk 