• Ruský jazyk

KMOP-tehnologiq

Autor: Aniket Vihe

Masshtabirowanie tehnologii proishodit so znachitel'noj skorost'ü, poätomu osnownoj zadachej qwlqetsq razrabotka differencial'nogo usilitelq w nanorazmernoj tehnologii s nailuchshimi rabochimi parametrami. Tehnologiq MOSFET masshtabiruetsq, chtoby sootwetstwowat'... Viac o knihe

Na objednávku, dodanie 2-4 týždne

18.36 €

bežná cena: 20.40 €

O knihe

Masshtabirowanie tehnologii proishodit so znachitel'noj skorost'ü, poätomu osnownoj zadachej qwlqetsq razrabotka differencial'nogo usilitelq w nanorazmernoj tehnologii s nailuchshimi rabochimi parametrami. Tehnologiq MOSFET masshtabiruetsq, chtoby sootwetstwowat' trebowaniqm k proizwoditel'nosti, stoimosti i moschnosti, pred#qwlqemym nowymi prilozheniqmi s wysokoj propusknoj sposobnost'ü. Masshtabirowanie obychnyh MOP-tranzistorow mozhet byt' zatrudneno dalee tehnologicheskogo uzla iz-za nekontroliruemyh korotkokanal'nyh äffektow i chrezmernoj wariacii porogowogo naprqzheniq. Poätomu dlq obespecheniq dal'nejshego masshtabirowaniq byli issledowany nowye tranzistornye struktury. CNFET i FinFET imeüt bol'shoj potencial dlq zameny w buduschem suschestwuüschej tehnologii ob#emnyh MOP-tranzistorow. Kak odin iz perspektiwnyh nowyh priborow, CNFET ustranqet bol'shinstwo fundamental'nyh ogranichenij tradicionnyh kremniewyh priborow. FinFET qwlqetsq naibolee priwlekatel'nym wyborom sredi arhitektur dwuhzatwornyh tranzistorow blagodarq samosoglasowaniü dwuh zatworow i shozhesti ätapow izgotowleniq s suschestwuüschej standartnoj tehnologiej MOSFET.

  • Vydavateľstvo: Sciencia Scripts
  • Rok vydania: 2023
  • Formát: Paperback
  • Rozmer: 220 x 150 mm
  • Jazyk: Ruský jazyk
  • ISBN: 9786206244677

Generuje redakčný systém BUXUS CMS spoločnosti ui42.