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MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen
Autor: Sonia Kaschieva
Die Erzeugung von Strahlungsdefekten durch hochenergetische MeV-Elektronenbestrahlung von n- und p-Typ Si-SiO2-Strukturen mit verschiedenen Arten von Oxiden wurde untersucht. Die Morphologieänderungen des SiO2-Oxids während der MeV-Elektronenbestrahlung... Viac o knihe
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Die Erzeugung von Strahlungsdefekten durch hochenergetische MeV-Elektronenbestrahlung von n- und p-Typ Si-SiO2-Strukturen mit verschiedenen Arten von Oxiden wurde untersucht. Die Morphologieänderungen des SiO2-Oxids während der MeV-Elektronenbestrahlung wurden mittels AFM beobachtet. Es werden Si+-Ionen-implantierte Si-SiO2-Strukturen vor und nach MeV-Elektronenbestrahlung vorgestellt. Die Umverteilung von Sauerstoff- und Silizium-Atomen und die Erzeugung von Si-Nanokristallen während der MeV-Elektronenbestrahlung wurde mit RBS/C- bzw. AFM-Techniken beobachtet. Optische Eigenschaften, Photolumineszenz und spektroskopische Untersuchungen von SiOx-Filmen, die mit MeV-Elektronen bestrahlt wurden, werden ebenfalls durchgeführt.
- Vydavateľstvo: Verlag Unser Wissen
- Rok vydania: 2020
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Nemecký jazyk
- ISBN: 9786200995711
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