-
Ruský jazyk
Optojelektronnye Processy Tonkih Plenok i Perspektivy Primeneniya
Autor: Bahtiqr Agagulu Nadzhafow
V knige issledovano dejstvie radiacii na sozdannye jelementy na osnove a-SiC i nk-Si s ploshhad'ju 1 sm2, pri osveshhenii moshhnost'ju sveta AM-1 k.p.d. sostavlyaet ¿=6,05%; 9,45%; 11,5% dlya bar'era Shottki, p-i-n geteroperehoda i dvojnogo geteroperehoda,... Viac o knihe
Na objednávku, dodanie 2-4 týždne
91.53 €
bežná cena: 101.70 €
O knihe
V knige issledovano dejstvie radiacii na sozdannye jelementy na osnove a-SiC i nk-Si s ploshhad'ju 1 sm2, pri osveshhenii moshhnost'ju sveta AM-1 k.p.d. sostavlyaet ¿=6,05%; 9,45%; 11,5% dlya bar'era Shottki, p-i-n geteroperehoda i dvojnogo geteroperehoda, sootvetstvenno. Oni yavlyajutsya jeffektivnymi i stabil'nymi harakteristikami plenok, kotorye polucheny plazmohimicheskim osazhdeniem. Nabljudajutsya fotoinducirovannye jeffekty v a-Si:H i ego splavov, svyazannye s izmeneniyami parametrov materiala. Nabljudalis' izmeneniya diffuzionnoj dliny nositelej , plotnosti nesparennyh spinov, plotnosti sostoyanij v shheli i propuskaniya v infrakrasnoj oblasti. Bol'shie izmeneniya provodimosti mogut byt' vyzvany izmeneniem polozheniya urovnya Fermi. Bylo ustanovleno, chto v obshhem sluchae svet vyzyvaet smeshhenie Ef k seredine shheli: jeffekt naibolee yarko vyrazhen pri nizkih urovnyah legirovaniya, no ischezaet pri sil'nom legirovanii. Izvestno, chto v plenkah a-Si:H pri svetovom vozdejstvii nabljudaetsya izmenenie provodimosti. Takim obrazom, vazhno issledovat' stabil'nost' solnechnyh jelementov na osnove a-Si:H i ego splavov v razlichnyh usloviyah okruzhajushhej sredy i osobenno pri jexpozicii ih pod solnechnymi luchami.
- Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
- Rok vydania: 2015
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Ruský jazyk
- ISBN: 9783659574467
Anglický jazyk 
Nemecký jazyk 
