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Progettazione di SRAM a bassa dispersione
Autor: Rajan Prasad Tripathi
La maggior parte delle ricerche sul consumo di potenza dei circuiti si è concentrata sulla potenza di commutazione e la potenza dissipata dalla corrente di dispersione è stata un'area relativamente minore. Tuttavia, nell'attuale processo VLSI, la corrente... Viac o knihe
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La maggior parte delle ricerche sul consumo di potenza dei circuiti si è concentrata sulla potenza di commutazione e la potenza dissipata dalla corrente di dispersione è stata un'area relativamente minore. Tuttavia, nell'attuale processo VLSI, la corrente sotto-soglia diventa uno dei fattori principali del consumo di energia, soprattutto nelle memorie di fascia alta. Per ridurre la potenza di dispersione nelle SRAM, è possibile applicare il metodo del power gating, la cui tecnica principale è l'utilizzo di transistor sleep per controllare la corrente sotto-soglia. In questo progetto si adottano tensioni di soglia doppie; le normali celle SRAM hanno tensioni di soglia inferiori e le tensioni di soglia superiori controllano i transistor di sleep. La dimensione dei transistor di sleep può essere scelta in base alla corrente del caso peggiore e sono applicati a ogni blocco.
- Vydavateľstvo: Edizioni Sapienza
- Rok vydania: 2023
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Taliansky jazyk
- ISBN: 9786205915288
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