-
Ruský jazyk
Vwedenie w besperehodnyj dwuhzatwornyj MOP-tranzistor
Autor: Gauraw Dhiman
Polewye tranzistory (PT), izgotawliwaemye w integral'nyh shemah, w osnownom imeüt perehody. V swqzi s umen'sheniem masshtaba ustrojstwa izgotowlenie ätih perehodow postepenno uslozhnqetsq. Krome togo, suschestwuet zhestkaq neobhodimost' w wysokom gradiente... Viac o knihe
Na objednávku, dodanie 2-4 týždne
18.36 €
bežná cena: 20.40 €
O knihe
Polewye tranzistory (PT), izgotawliwaemye w integral'nyh shemah, w osnownom imeüt perehody. V swqzi s umen'sheniem masshtaba ustrojstwa izgotowlenie ätih perehodow postepenno uslozhnqetsq. Krome togo, suschestwuet zhestkaq neobhodimost' w wysokom gradiente koncentracii dopinga dlq besperebojnogo funkcionirowaniq ustrojstwa. V poslednee wremq issledowateli sosredotochilis' na nowyh ustrojstwah, w kotoryh ne trebuetsq gradient legirowaniq i net perehodow. Odnoj iz takih struktur qwlqetsq besperehodnyj MOP-tranzistor s dwojnym zatworom (MOP-tranzistor JL-DG), kotoryj prodemonstrirowal uluchshennye harakteristiki w bor'be s äffektom korotkogo kanala, a imenno s inducirowannym stokom ponizheniem bar'era (DIBL), izmeneniqmi porogowogo naprqzheniq i t.d.
- Vydavateľstvo: Sciencia Scripts
- Rok vydania: 2022
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Ruský jazyk
- ISBN: 9786204600031
Anglický jazyk 
Nemecký jazyk 
